濺射是一種先進的薄膜材料制備技術(shù),它利用離子源產(chǎn)生的離子,在真空中加速聚集成高速離子流,轟擊固體表面,離子和固體表面的原子發(fā)生動能交換,使固體表面的原子離開靶材并沉積在基材表面,從而形成納米或微米薄膜。而被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。鎢靶材和鉬靶材可在各類基材上形成薄膜,這種濺射膜廣泛用作電子部件和電子產(chǎn)品,如目前廣泛應(yīng)用的TFT-LCD(薄膜半導體管-液晶顯示器)、等離子顯示屏、無機光發(fā)射二極管顯示器、場發(fā)射顯示器、薄膜太陽能電池、傳感器、半導體裝置以及具有可調(diào)諧功函數(shù)CMOS(互補金屬氧化物半導體)的場效應(yīng)晶體管柵極等。
近年來，作為LCD(液晶顯示)、PDP(等離子顯示)等平面顯示器的電極和配線材料的鉬系合金靶越來越受到人們的關(guān)注。在TFt-LCD中，柵電極是一個關(guān)鍵部件，以前主要是用Cr／A1作為柵電極材料，隨著平面顯示器的大型化和高精度化，對材料的比阻抗要求越來越高，鉬的比阻抗和膜應(yīng)力僅為鉻的1／2，同時，由于鉻在蝕刻過程中會產(chǎn)生六價態(tài)Cr，對環(huán)境和健康有害，因此現(xiàn)在越來越多的公司改用Mo／A1作為柵電極材料，這樣對鉬靶材的需求也就越來越大。在鉬靶材的應(yīng)用中，鉬合金的研究也越來越多，為進一步提高純鉬在耐腐蝕性(變色)和密著性(膜的剝離)，在鉬中添加V、Nb、W、Ta則會使比電阻、應(yīng)力及耐蝕性等各種性能更好。
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